純水設(shè)備RO膜化學清洗的方法介紹
來源：無錫純水設(shè)備??????2022/7/7 9:13:37??????點擊：
【無錫水處理設(shè)備http://epinc.cn】隨著運行時間的增加，反滲透膜表面的污垢將會導致膜元件產(chǎn)水量降低、脫鹽率下降、原水和濃水之間的壓差增大等。在顯著的性能衰減之前，采用低壓、高流量的沖洗方法來去除膜表面污垢層，對于消除輕度的有機物污染是非常有效的。當膜污染比較嚴重時可采用化學清洗，通過化學藥劑與污染物相互作用，溶解、分離膜表面污染物，該方法通常在沖洗之后采用。
純水設(shè)備膜清洗的條件
1、進水和濃水的壓差上升到初始壓差值的15%；
2、產(chǎn)水量降低了10%；
3、透鹽率增加了20%；
在清洗之前確定膜表面的污垢類型，可以根據(jù)SDI測試膜片上殘留物的顏色、粘稠度等對污垢進行判別。例如，褐色的殘留物一般為鐵污垢；白色或米色殘留物可能是硅、砂質(zhì)粘土、鈣垢；晶狀體外形殘留物是無機膠體、鈣垢；生物污垢或有機污垢除了有氣味外，通常還呈現(xiàn)粘稠狀。
當確定了純水設(shè)備膜表面的污染類型后，選擇相應的清洗程序，根據(jù)膜污染的程度通常需要交替使用幾種化學清洗方法，比單獨使用一種清洗方法更加有效。
定期的清洗可以很大程度的恢復系統(tǒng)性能，對預防膜元件污染是非常必要的，在化學清洗之后，將污染物徹底地沖洗出RO系統(tǒng)。純水設(shè)備，實驗室純水設(shè)備, 無錫純水設(shè)備,無錫水處理設(shè)備，無錫去離子水設(shè)備, 醫(yī)用GMP純化水設(shè)備。 半導體超純水設(shè)備。
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